P+F電感式接近開(kāi)關(guān)NBB10-30GM50-E2-V1
簡(jiǎn)要描述:P+F電感式接近開(kāi)關(guān)NBB10-30GM50-E2-V1倍加福的產(chǎn)品允許在較近的范圍內(nèi)125千赫(LF)和13.56兆赫茲(HF)的電感式的RFID系統(tǒng)。RFID超高頻RFID系統(tǒng)包含了從865兆赫茲到926兆赫茲(UHF)可覆蓋較遠(yuǎn)的距離。這些系統(tǒng)包含了廣泛的頻譜范圍的特性,數(shù)據(jù)傳輸率和設(shè)計(jì),必定能達(dá)到你的要求。
產(chǎn)品型號(hào): SB4-OR-4CP
所屬分類(lèi):P+F開(kāi)關(guān)
更新時(shí)間:2023-12-15
廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
P+F電感式接近開(kāi)關(guān)NBB10-30GM50-E2-V1
這種開(kāi)關(guān)的測(cè)量通常是構(gòu)成電容器的一個(gè)極板,而另一個(gè)極板是開(kāi)關(guān)的外殼。這
制開(kāi)關(guān)的接通或斷開(kāi)。這種接近開(kāi)關(guān)檢測(cè)的對(duì)象,不限于導(dǎo)體,可以緣的液體或粉狀物等。變化,由此識(shí)別附近有磁性物體存在,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)的檢測(cè)象必須是磁性物體。不論它是否為導(dǎo)體,由于它的接近,總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化,從而使電容量發(fā)生變化,使得和測(cè)量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化,由此便可控
當(dāng)觀(guān)察者或系統(tǒng)對(duì)波源的距離發(fā)生改變時(shí),接近到的波的頻率會(huì)發(fā)生偏移,這種現(xiàn)象稱(chēng)為多普勒效應(yīng)。聲納和雷達(dá)就是利用這個(gè)效應(yīng)的原理制成的。利用多普勒效應(yīng)可制成超聲波接近開(kāi)關(guān)、微波接近開(kāi)關(guān)等。當(dāng)有物體移近時(shí),接近開(kāi)關(guān)接收
利用光電效應(yīng)做成的開(kāi)關(guān)叫光電開(kāi)關(guān)。將發(fā)光器件與光電器件按一定方向裝在同一個(gè)檢測(cè)頭內(nèi)。當(dāng)有反光面(被檢測(cè)物體)接近時(shí),光電器件接收到反射光后便在信號(hào)輸出,由此便可"感知"有物體接近。
其它型式到的反射信號(hào)會(huì)產(chǎn)生多普勒頻移,由此可以識(shí)別出有無(wú)物體接近。個(gè)外殼在測(cè)量過(guò)程中通常是接地或與設(shè)備的機(jī)殼相連接。當(dāng)有物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí),
是一種磁敏元件。利用霍爾元件做成的開(kāi)關(guān),叫做霍爾開(kāi)關(guān)。當(dāng)磁性物件移近霍爾開(kāi)關(guān)時(shí),開(kāi)關(guān)檢測(cè)面上的霍爾元件因產(chǎn)生霍爾效應(yīng)而使開(kāi)關(guān)內(nèi)部電路狀態(tài)發(fā)生
052020 NBN3-6,5M30-E2
802841 NBN3-8GM25-E0-V3
185028 NBN3-8GM25-E1-V3
052026 NBN3-8GM25-E2-V3
108369 NBN3-8GM25-E3-V3
801008 NBN3-8GM30-E0
801009 NBN3-8GM30-E0-V1
052025 NBN3-8GM30-E2
052029 NBN3-8GM30-E2-V1
088651 NBN3-8GM45-E2-V3
P+F電感式接近開(kāi)關(guān)NBB10-30GM50-E2-V1